参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPI030N10N3 G
说明	功率MOSFET   10.2mm I2PAK(TO-262)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1287 [库存更新时间：2025-04-13]
通道数量	1Channel
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	300W
高度	9.45mm
长度	10.2mm
宽度	4.5mm
下降时间	28ns
上升时间	58ns
典型关闭延迟时间	84ns
典型接通延迟时间	34ns
Moisture Level	NA
Rds On(Max)@Id,Vgs	3mΩ
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	100A
QG (typ @10V)	155.0 nC
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
Rth	0.5 K/W
Budgetary Price €€/1k	1.91
Ptot max	300.0W
FET类型	N-Channel
Coss	1940.0 pF
Ciss	11100.0 pF
栅极电压Vgs	2.7V,2V,3.5V
工作温度	-55°C~175°C